欧洲心律协会2015年会上发布的两项最新研究表明，智能手机或高压电源线可能会对植入心脏植入电子设备（CIED）的患者产生电磁干扰（EMI），尽管这种EMI风险较低，但仍需采取相关预防措施。

　　第一项研究中，研究者加拿大蒙特利尔心脏研究所的Katia Dyrda将40个CIED（包括21个起搏器和19个除颤器）暴露于在电场显著高于国际推荐的CIED暴露推荐量的20 kV/m实验室中。结果发现，通常CIED在标称参数及双极模式下，所有起搏器在实验室电场达到8.6 kV/m时并未发生明显的EMI，所有心律转复除颤器（ICD）在电场达到2.9 kV/m未发生明显的EMI。但在单极模式或敏感性更高的情况下，当实验室电场达到1.5 kV/m时即可产生EMI。研究者指出，植入正常标称设置及双极模式CIED的患者无需感到过度恐慌；尽管高压电源线导致CIED发生故障的风险非常低，但临床医生应需警告植入单极模式编程的CIED患者高压电源可能会导致EMI，嘱其经过高压线附近时应快速，避免逗留。但也需告知患者，高压电源引发EMI的风险非常小，不必过度担忧。

　　意大利圣安娜医院的Tommaso Infusino对该研究结果表示浓厚兴趣，因意大利很多房屋建在高压电线下方，并有报道称确有居民设备受到EMI。从该研究结果来看，Infusino教授认为有必要提醒患者不要站在高压线下，并确保植入CIED患者的设备设置符合标准要求。

　　第二项研究中，研究者德国心脏中心的Carsten Lennerz及其同事入选308例植入CIED患者［男性占72%，平均年龄为65岁，植入起搏器、ICD及心脏再同步治疗起搏器（CRT）者分别有103例、103例和66例］，观察在交替使用GSM、UMTS及LTE等网络下，智能手机拨号、响铃及通话状态下对CIED是否会产生EMI。结果发现，仅1例患者CIED受到智能手机所产生的EMI。尽管如此，研究者认为，临床实践中，医生仍有必要告诉患者智能手机可能会导致EMI，故尽量让自己体内植入的CIED远离智能手机，如不要将智能手机放置在衬衣胸前的口袋中。